要闻！残忍杀害女友！嫌犯供述：因女友拒绝复合心生怨恨

残忍杀害女友！嫌犯供述：因女友拒绝复合心生怨恨

[城市]，[日期] - 一名男子因女友拒绝复合，心生怨恨，竟残忍地将其杀害。[日期]，**[嫌疑人姓名]**已被警方抓获，并供述了犯罪事实。

据悉，[嫌疑人姓名]与[受害人姓名]曾是一对情侣，但因感情不合于[日期]分手。分手后，[嫌疑人姓名]多次挽留[受害人姓名]，但均遭到拒绝。[日期]，[嫌疑人姓名]再次找到[受害人姓名]，要求复合，遭到拒绝后恼羞成怒，竟残忍地将**[受害人姓名]**杀害。

**[嫌疑人姓名]供述，他当时用一块砖头猛击[受害人姓名]头部，致其当场死亡。[嫌疑人姓名]还交代，他曾于[日期]将[受害人姓名]的两颗门牙打掉，以此威胁[受害人姓名]**与其复合。

目前，**[嫌疑人姓名]**已被警方刑事拘留，案件正在进一步审理中。

这起案件再次警示我们，要理性对待感情问题，学会控制自己的情绪，不要让冲动酿成悲剧。

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三星3D NAND堆叠技术领跑行业，长存美光紧追其后

[美国，加州] - 据市场研究机构TechInsights近日发布的报告，三星电子在3D NAND闪存堆叠技术方面处于领先地位，其平均每单元比特堆叠层数达到了176层，而紧随其后的长存美光则为164层。

报告指出，三星在3D NAND堆叠技术方面的领先优势主要体现在其先进的晶圆代工工艺和设计架构上。三星采用了一系列创新的技术，例如沟槽填充技术和自对准蚀刻技术，使得其能够在更薄的晶圆上制造更多的存储层。此外，三星还开发了一种新的3D NAND架构，该架构可以提高存储单元的密度和性能。

长存美光也在3D NAND堆叠技术方面投入了大量研发资金，并取得了显著进展。该公司目前正在开发176层3D NAND闪存，预计将于2024年底投产。

3D NAND闪存是目前最先进的闪存技术之一，具有更高的存储密度、更快的速度和更低的功耗。随着智能手机、数据中心和服务器等应用对存储需求的不断增长，3D NAND闪存市场预计将快速增长。

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